Pārskats

NEWLIFE Tungsten Copper (W–Cu) IC iepakojumu sērija ir īpaši izstrādāta jaudas pusvadītāju mikroshēmām, RF pastiprinātājiem, mikroviļņu moduļiem un hermētisku ierīču nesējiem, kam nepieciešama ārkārtīgi stabila termiskā un mehāniskā veiktspēja. Atšķirībā no parastām vara plāksnēm vai kompozītmateriālu laminātiem, W-Cu materiāli, kas ražoti, izmantojot NEWLIFE augstas-precizitātes PM/MIM platformu, nodrošina siltuma-izplatīšanās spējas, struktūras stingrības un CTE regulējamības kombināciju, kas ir būtiska mūsdienu augsta blīvuma IC arhitektūrām.

Šie substrāti darbojas gan kā termiskā saskarne, gan kā konstrukcijas pamats. To volframa fāze nodrošina zemu deformāciju un kontrolējamu izplešanās koeficientu, savukārt vara fāze nodrošina efektīvu siltuma izkliedi no aktīvajām mikroshēmām. Ierīces uzticamība ievērojami palielinās, ja CTE ir cieši saskaņota ar Si, SiC, GaN vai GaAs; tas samazina sprieguma uzkrāšanos ap lodēšanas šuvēm un savienojuma saskarnēm, īpaši augstas -temperatūras cikla apstākļos. NEWLIFE materiālu komanda pielāgo pulvera attiecības un saķepināšanas parametrus, lai nodrošinātu precīzus CTE diapazonus, ļaujot dizaineriem izvēlēties substrātu, kas optimizēts viņu konkrētajam presēšanas materiālam.

Ražošanas tehnoloģija

W–Cu IC iepakojuma daļas tiek veidotas, izmantojot augstspiediena presēšanas, uzlabotas MIM formēšanas un precīzas saķepināšanas kombināciju. Šie procesi ļauj izveidot funkcijas, kuras nevar ekonomiski sasniegt ar tradicionālo apstrādi, piemēram, mikro-kanālus virzītai siltuma plūsmai, pakāpeniskus reģionus vairāku-veidņu integrēšanai vai dobumu struktūras hermētisku komponentu izlīdzināšanai. Tā kā lielākā daļa izmēru precizitātes tiek sasniegta formēšanas stadijā, pēc{5}}apstrāde ir minimāla, tāpēc komponenti ir piemēroti liela-apjoma, izmaksu-jutīgai pusvadītāju ražošanai.
Mikrostruktūras vienveidība ir galvenā priekšrocība. Pulvermetalurģijas procesā tiek iegūti cieši savienoti volframa karkasi, kas piepildīti ar vienmērīgi sadalītu varu, novēršot nekonsekvento blīvumu vai tukšumus, kas bieži sastopami lietajos kompozītmateriālos. Tas nodrošina stiprāku savienojuma integritāti, samazinātu deformāciju un paredzamu termisko izplešanos visā pamatnē.

Veiktspējas priekšrocības

Ierīces, kas aprīkotas ar NEWLIFE W–Cu substrātu pieredzi:

Uzlabota termiskā uzticamība, pateicoties augstajai vara{0}}fāzes vadītspējai
Spēcīgs mehāniskais atbalsts nepārtrauktā termiskā cikla laikā
Samazināta termiskā pretestība starp veidni un siltuma izlietni
Stabila elektriskā veiktspēja RF un mikroviļņu moduļos
Lieliska savietojamība ar parasto metalizāciju, piemēram, Ni/Au, Ag, Cu vai ENEPIG

Materiāla augstais blīvums nodrošina izmēru stabilitāti, kas ir ļoti svarīga stingrām -pielaides IC mezgliem un automatizētiem presu-piestiprināšanas procesiem.

Lietojumprogrammu scenāriji

Šie iepakojuma substrāti ir integrēti:

Lieljaudas{0}}pārslēgšanas ierīces, ko izmanto rūpnieciskajās energosistēmās
RF tranzistoru nesēji bezvadu bāzes staciju komponentiem
Aizsardzības-hermētiskie mikroviļņu moduļi
Augstas{0}}temperatūras SiC un GaN jaudas pakāpes
Precīzas hibrīda shēmas un noslēgtas mikroelektronikas paketes

NEWLIFE W–Cu IC iepakojumu sērija nodrošina dizaineriem ļoti uzticamu, termiski efektīvu un rentablu substrātu, kas izstrādāts nākamās-paaudzes pusvadītāju moduļiem.